فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1395
  • دوره: 

    7
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    77-89
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1227
  • دانلود: 

    325
چکیده: 

برای داشتن همزمان درجه خطی و بازده بالا در تقویت کننده های توان باید از تکنیک های خطی سازی استفاده کرد. در این مقاله یک ساختار با قابلیت حذف محدودیت های ذاتی LINC که یکی از روش های خطی سازی تقویت کننده توان می باشد ارائه شده است. ناهمسانیهای اندازه و فاز در تکنیک LINC توسط الگوریتم های بهینه سازی برطرف شده اند. با توجه به نتایج تئوری، مسیر فیدبکی به ساختار LINC مرسوم اضافه شده است به گونه ای که هر گونه ناهمسانیهای اندازه و فاز بین دو مسیر را به طور وفقی توسط الگوریتم های بهینه سازی کالیبره می کند. شبیه سازی های زیادی انجام شده است تا صحت عملکرد مدار و درستی روابط استخراج شده را تصدیق بخشد. در این مقاله از تقویت کننده قدرت M68749 در فرکانس 390 مگاهرتز با توان خروجی 5 وات استفاده شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی، چگالی طیف توان ساختار ارائه شده در میزان انتشار سیگنال به کانالهای اطراف تقریبا 40 dB/Hz بهبود یافته است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1227

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 325 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

HAYATI M. | ROSHANI S.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2015
  • دوره: 

    47
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    31-37
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    324
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

A new output structure for class E Power Amplifier (PA) is proposed in this paper. A series LC resonator circuit, tuned near the second harmonic of the operating frequency is added to the output circuit. This resonator causes low impedance at the second harmonic. The output circuit is designed to shape the switch voltage of the class E Amplifier and lower the voltage stress of the transistor. The maximum switch voltage of the conventional class E PA is 3.56Vdc. However, higher switch voltage of about 4.5VDC may be occurred, by considering nonlinear drain-to-source capacitance in class E PA. The obtained peak switch voltage of the designed class E PA is approximately 75% of the conventional one with the same conditions, which shows a significant reduction in peak switch voltage. MOSFET parasitic nonlinear gate-to-drain and nonlinear drain-to-source capacitances of the MOSFET body junction diode also affect the switch voltage in class E PA, which are considered in this paper. The actual MOSFETs have these parasitic capacitances; therefore, it is necessary to consider these elements in the design procedure. Reduced switch voltage in class E PA relaxes the breakdown voltage constraints of the active device. In the switch voltage of the designed circuit, the zero voltage and zero derivative switching (ZVS and ZVDS) conditions are satisfied. Simulation of the presented circuit is performed using PSpice and LTspice softwares. For verification of the designed circuit, the presented PA is fabricated and measured.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 324

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2023
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    217-228
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    47
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Background and Objectives: In this paper, a novel structure as a Folded-Mirror (FM) Trans-impedance Amplifier (TIA) is designed and introduced for the first time based on the combination of the current-mirror and the folded-cascade topologies. The trans-impedance Amplifier stage is the most critical building block in a receiver system. This novel proposed topology is based on the combination of the current mirror topology and the folded-cascade topology, which is designed using active elements. The idea is to use a current mirror topology at the input node. In the proposed circuit, unlike many other reported designs, the signal current (and not the voltage) is being amplified till it reaches the output node. The proposed TIA benefits from a low input resistance, due to the use of a diode-connected transistor, as part of the current mirror topology, which helps to isolate the dominant input capacitance. So, as a result, the data rate of 5Gbps is obtained by consuming considerably low Power. Also, the designed circuit employs only six active elements, which yields a small occupied chip area, while providing 40.6dBΩ of trans-impedance gain, 3.55GHz frequency bandwidth, and 664nArms input-referred noise by consuming only 315µW Power using a 1V supply. Results justify the proper performance of the proposed circuit structure as a low-Power TIA stage.Methods: The proposed topology is based on the combination of the current mirror topology and the folded-cascade topology. The circuit performance of the proposed folded-mirror TIA is simulated using 90nm CMOS technology parameters in the Hspice software. Furthermore, the Monte-Carlo analysis over the size of widths and lengths of the transistors is performed for 200runs, to analyze the fabrication process.Results: The proposed FM TIA circuit provides 40.6dBΩ trans-impedance gain and 3.55GHz frequency bandwidth, while, consuming only 315µW Power using a 1V supply. Besides, as analyzing the quality of the output signal in the receiver circuits for communication applications is vital, the eye-diagram of the proposed FM TIA for a 50µA input signal is opened about 5mV, while, for a 100µA input signal the eye is opened vertically about 10mV. So, the vertical and horizontal opening of the eye is clearly shown. Furthermore, Monte-Carlo analysis over the trans-impedance gain represents a normal distribution with the mean value of 40.6dBΩ and standard deviation of 0.4dBΩ. Also, the value of the input resistance of the FM TIA is equal to 84.4Ω at low frequencies and reaches the value of 75Ω at -3dB frequency. The analysis of the effect of the feedback network on the value of the input resistance demonstrates the input resistance in the absence of the feedback network reaches up to 1.4MΩ, which yields the importance of the existence of the feedback network to obtain a broadband system.Conclusion: In this paper, a trans-impedance Amplifier based on a combination of the current-mirror topology and the folded-cascade topology is presented, which amplifies the current signal and converts it to the voltage at the output node. Due to the existence of a diode-connected transistor at the input node, the input resistance of the TIA is comparatively small. Furthermore, four out of six transistors are PMOS transistors, which represent less thermal noise in comparison with NMOS transistors. Also, the proposed Folded-Mirror topology occupies a relatively small area on-chip, due to the fact that no passive element is used in the feedforward network. Results using 90nm CMOS technology parameters show 40.6dBΩ trans-impedance gain, 3.55GHz frequency bandwidth, 664nArms input-referred noise, and only 315µW Power dissipation using a 1volt supply, which indicates the proper performance of the proposed circuit as a low-Power building block.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 47

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    3
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    117-127
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    57
  • دانلود: 

    7
چکیده: 

استفاده از تجهیزات رادیویی یکپارچه هوشمند با کارایی بالا یکی ازالزامات پلیس هوشمند است و در این راستا لازم است در طراحی بخش های مختلف فرستنده و گیرنده رادیویی الزامات عملیاتی مد نظر قرار گیرد. در بخش فرستنده، تقویت کننده توان بخشی است که ویژگی هایی همچون توان مصرفی، توان خروجی و بازده افزوده مطلوب از جمله موارد قابل توجه در طراحی است. این مقاله به طراحی تقویت کننده توان (PA) کلاس E با راندمان بالا برای ارتباطات رادیویی می پردازد. بدین منظور از ساختار کسکود که متشکل از یک تقویت کننده به عنوان سوئیچ جهت تقویت سیگنال و یک تقویت کننده برای افزایش قابلیت اطمینان استفاده شده است. در این مدار یک ترانزیستور در ناحیه ترایود به عنوان سوئیچ و ترانزیستور دیگر در ناحیه ترایود یا اشباع قرار می گیرند. در این مقاله یک تقویت کننده توان کلاس E به صورت کسکود با یک مدار راه انداز و یک مدار جبران ساز برای افزایش توان خروجی و بازده توان افزوده پیشنهاد شده است. مدل ارائه شده در این مقاله در تکنولـوژی CMOS nm 180 بـرای سیستم های LTE مناسب است. در این مقاله تـوان خروجـی و بـازده افزوده تقویت کننده توان مورد نظر توسط تغییر ساختار آن بهبود یافته است. تقویت کننده توان مـورد نظـر دارای فرکـانس کاریGHz 6/2، توان خروجی dBm4/31، حداکثر بازده افزوده 5/55% می باشد. مدارهای طراحی شده با نرم افـزار کیدنس شبیه-سازی شده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 57

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 7 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1399
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    17-24
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    998
  • دانلود: 

    402
چکیده: 

در این مقاله روش جدیدی برای دست یابی به محدوده بازده-بالای وسیع در تقویت کننده دوهرتی ارائه شده است. این تقویت کننده دوهرتی تنها از یک تقویت کننده اصلی و یک تقویت کننده کمکی استفاده می کند. به منظور افزایش محدوده بازده-بالای این تقویت کننده، دو ترانزیستور ناهمسان با تطبیق هارمونیکی تقویت کننده کلاس F با ساختار بار ترکیبی مختلط به عنوان تقویت کننده های اصلی و کمکی به کار گرفته شده اند. برای تأیید طرح ارائه شده، یک تقویت کننده توان دوهرتی با محدوده دینامیکی dB12 برای کاربرد WCDMA طراحی و ساخته شده است. نتایج اندازه گیری سیگنال بزرگ، بهره توان در حدود dB9/10 با بازدهی درین در حدود 66 % در محدوده بازده-بالای خروجی dB 12 را نشان می دهد. ارزیابی سیگنال دوفرکانسه نشان می دهد که اعوجاج مدولاسیون داخلی مرتبه سوم کمتر از dBc 5/21-است. همچنین، اندازه گیری موج مدوله شده بازدهی متوسط درین 5/56 % را نشان می دهد و نرخ توان نشتی کانال مجاور در توان خروجی dBm 5/31 در حدود dBc 26-است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 998

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 402 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1395
  • دوره: 

    14
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    81-90
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1922
  • دانلود: 

    460
چکیده: 

این مقاله یک مدار اصلاح شده برای بهبود خطی سازی تقویت کننده های توان بالا بر اساس مدل مدار تقویت کننده فیدفوروارد ارائه می دهد. به کمک مدل ریاضی المان های مورد استفاده، مدار اصلاح شده شبیه سازی، ساخته و اندازه گیری شده است. مدل تقویت کننده توان بالا، به وسیله تقریب دامنه تابع تبدیل و فاز بهره تقویت کننده (که به دامنه ورودی وابسته است) با استفاده از سری تیلور مختلط که فرم ساده شده سری ولترا است، انجام گرفت. در اثبات کارکرد عملی طرح، متوجه شده ایم که تنظیمات مدار به شرایط هدایت تقویت کننده ها بستگی دارد و خطی شدن سیگنال ها فقط برای یک محدوده باریکی از توان ورودی (یا دامنه ورودی) قابل دسترسی است. قسمت اعظم شبیه سازی کل مدار به وسیله مدل ناشی از مشخصه های تابع تبدیل دو تقویت کننده توان بالا تعیین شده است. مدار جدید در مقایسه با تقویت کننده فیدفوروارد متداول، ضمن افزایش قابل ملاحظه بازدهی، توان سیگنال های مزاحم نوع 3IMD را نیز در دامنه های ورودی بزرگ (سیگنال های بزرگ) کمینه می کند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1922

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 460 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
نشریه: 

رادار

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    9
  • شماره: 

    2 (پیاپی 26)
  • صفحات: 

    25-32
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    101
  • دانلود: 

    27
چکیده: 

این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده توان، با حداکثر سطح بهره و راندمان در پهنای باند فوق گسترده را که با استفاده از تکنیک فرکانس حقیقی انجام شده است، در بر می گیرد. این تقویت کننده از فرکانس های نزدیک به DC تا 4 گیگاهرتز، بهره توان بیش از 12 دسی بل و توان خروجی بیش از 40 دسی بل میلی وات یا 10 وات را تحویل بار می دهد. بازدهی توان افزوده دستگاه، بین 47 تا 82 درصد در پهنای باند کاری، تغییر می کند. قطعه CGH40010F GaN HEMT از شرکت Wolfspeed-Cree در این طراحی استفاده شده-است. طراحی اولیه بر اساس روش تطبیق فرکانس حقیقی با استفاده از پارامترهای پراکندگی ترانزیستور که توسط سازنده ارائه شده، انجام شده است. با استفاده از امپدانس های منبع و بار مناسب که برای سطح بهره وری و بهره بهینه حاصل شده، نمونه اولیه عناصر فشرده با استفاده از تکنیک تطبیق منفرد فرکانس حقیقی مبتنی بر امپدانس بدست می آید. سپس عناصر فشرده با نمونه های توزیع شده جایگزین می شوند. سرانجام، عملکرد کلی سیستم مجدداً بهینه سازی شده، نتایج موفقیت آمیز بدست آمده و ارائه می شوند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 101

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 27 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

RAMOS J. | STEYAERT M.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2004
  • دوره: 

    51
  • شماره: 

    10
  • صفحات: 

    1967-1974
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    150
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 150

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2013
  • دوره: 

    45
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    51-58
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    431
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

A digital look-up table adaptive predistortion technique using a six-port receiver for Power Amplifier linearization is presented. The system is designed in Ka-band for a DVB-S2 satellite link. We use a six-port receiver at the linearization loop in place of classic heterodyne receivers. The six-port receiver is implemented by the use of passive microwave circuits and detector diodes. This approach highly reduces cost and complexity of the linearization system. The fabrication results of a five-port receiver operating in 23-29 GHz is presented in this paper. The simulation results confirm suitability of using this architecture in the Power Amplifier linearization loop. The third order intermodulation products and the fifth order intermodulation products reduce about 43 dB and 25 dB respectively, after linearization of the Power Amplifier. The resulting spectrum of the output signal shows significant reduction of the intra-system interference to the adjacent networks which is mainly due to the nonlinearity effects of the Power Amplifier.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 431

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    19
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    71-82
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    16
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

1در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده ماتریسی 3×2 با خطوط انتقال مخروطی و مصرف توان پایین در فناوریCMOS nm180 معرفی شده است. در این طرح استفاده از ساختار ماتریسی به جهت داشتن مکانیزم ضرب‏ شوندگی و جمع شوندگی جریان سبب افزایش بهره و مصرف توان پایین گردیده است. در طبقه ورودی برای افزایش پهنای‏ باند و عدم نیاز به استفاده از خازن های اضافی در خط انتقال گیت ورودی و خط انتقال مرکزی از یک سلول بهره متوالی با بهره قابل تنظیم استفاده شده است. همچنین، برای بهبود عدد نویز مقاومت انتهایی خط انتقال گیت ورودی با یک شبکه RL پایان یافته است. تقویت‏کننده توزیع شده پیشنهادی در فناوری nm 180 CMOS شرکت TSMC طراحی و توسط نرم‏ افزار کیدنس شبیه‏ سازی شده است. نتایج شبیه ‏سازی تقویت‏کننده توزیع ‏شده پیشنهادی نشان می دهد که با مصرف توان mW 16.25 از یک منبع تغذیه V 1، دارای بهره توان مستقیم (S21)، dB 12، تلف بازگشتی ورودی (S11) و خروجی (S22) کمتر از dB 10-، متوسط نقطه تقاطع مرتبه سوم ورودی(IIP3) برابر dBm 6.11- و متوسط عدد نویز dB 5.5 در بازه فرکانسی وسیع GHz 1 تا GHz 24 است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 16

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button